Электронная эмиссия

испускание электронов поверхностью твёрдого тела или жидкости. Э. э. возникает в случаях, когда под влиянием внешних воздействий часть электронов тела приобретает энергию, достаточную для преодоления потенциального барьера (См. Потенциальный барьер) на границе тела, или если под действием электрического поля поверхностный потенциальный барьер становится прозрачным для части электронов, обладающих внутри тела наибольшими энергиями. Э. э. может возникать при нагревании тел (Термоэлектронная эмиссия), при бомбардировке электронами (Вторичная электронная эмиссия), ионами (Ионно-электронная эмиссия) или фотонами (Фотоэлектронная эмиссия). В определённых условиях (например, при пропускании тока через полупроводник с высокой подвижностью электронов или при приложении к нему сильного импульса электрического поля) электроны проводимости могут «нагреваться» значительно сильнее, чем кристаллическая решётка, и часть из них может покинуть тело (эмиссия горячих электронов).

Для наблюдения Э. э. необходимо создать у поверхности тела (эмиттера) внешне ускоряющее электроны электрическое поле, которое «отсасывает» электроны от поверхности эмиттера. Если это поле достаточно велико (≥ 10 2 в/см ), то оно уменьшает высоту потенциального барьера на границе тела и соответственно работу выхода (Шотки эффект), в результате чего Э. э. возрастает. В сильных электрических полях (Электронная эмиссия10 7 в/см ) поверхностный потенциальный барьер становится очень тонким и возникает туннельное «просачивание» электронов сквозь него (Туннельная эмиссия), иногда называемое также автоэлектронной эмиссией. В результате одновременного воздействия 2 или более факторов может возникать термоавто- или фотоавтоэлектронная эмиссия. В очень сильных импульсных электрических полях (Электронная эмиссия 5․10 7 в/см ) туннельная эмиссия приводит к быстрому разрушению (взрыву) микроострий на поверхности эмиттера и к образованию вблизи поверхности плотной плазмы (См. Плазма). Взаимодействие этой плазмы с поверхностью эмиттера вызывает резкое увеличение тока Э. э. до 10 6 а при длительности импульсов тока в несколько десятков нсек (взрывная эмиссия). При каждом импульсе тока происходит перенос микроколичеств (Электронная эмиссия 10 -11 г ) вещества эмиттера на анод.

Лит.: Добрецов Л. Н., Гомоюнова М. В., Эмиссионная электроника, М., 1966; Бугаев С. П., Воронцов-Вельяминов П. Н., Искольдский А. М., Месяц С, А., Проскуровский Д. И., Фурсей Г. Н., Явление взрывной электронной эмиссии, в сборнике: Открытия в СССР 1976 года, М., 1977.

Т. М. Лифшиц.

Большая советская энциклопедия. - М.: Советская энциклопедия . 1969-1978 .

Смотреть что такое "Электронная эмиссия" в других словарях:

Электронная эмиссия явление испускания электронов поверхностью твёрдого тела или жидкости. Типы эмиссии Термоэлектронная эмиссия Электронную эмиссию, возникающую в результате нагрева, называют термоэлектронной эмиссией (ТЭ). Явление ТЭ… … Википедия

Испускание электронов поверхностью конденсированной среды. Э. э. возникает в случаях, когда часть электронов тела приобретает в результате внеш. воздействия энергию, достаточную для преодоления потенц. барьера на его границе, или если внеш.… … Физическая энциклопедия

Испускание эл нов поверхностью конденсированной среды. Э. э. возникает в случаях, когда часть эл нов тела приобретает в результате внеш. воздействий энергию, достаточную для преодоления потенциального барьера на его границе, или если внеш.… … Физическая энциклопедия

ЭЛЕКТРОННАЯ эмиссия, испускание электронов твердым телом или жидкостью под действием электрического поля (автоэлектронная эмиссия), нагрева (термоэлектронная эмиссия), электромагнитного излучения (фотоэлектронная эмиссия), потока электронов… … Современная энциклопедия

Большой Энциклопедический словарь

Электронная эмиссия - ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ, испускание электронов твердым телом или жидкостью под действием электрического поля (автоэлектронная эмиссия), нагрева (термоэлектронная эмиссия), электромагнитного излучения (фотоэлектронная эмиссия), потока электронов… … Иллюстрированный энциклопедический словарь

электронная эмиссия - Испускание электронов с поверхности материала в окружающее пространство. [ГОСТ 13820 77] Тематики электровакуумные приборы … Справочник технического переводчика

электронная эмиссия - испускание электронов поверхностью твердого тела или жидкости. Электронная эмиссия возникает в случаях, когда под влиянием внешних воздействий часть электронов тела приобретает энергию, достаточную для преодоления… … Энциклопедический словарь по металлургии

Испускание электронов твердым телом или жидкостью под действием электрического поля (автоэлектронная эмиссия), нагрева (термоэлектронная эмиссия), электромагнитного излучения (фотоэлектронная эмиссия), потока электронов (вторичная электронная… … Энциклопедический словарь

Испускание электронов в вом. В зависимости от способа возбуждения различают след. осн. типы Э. э.: термоэлектронная эмиссия, фотоэлектронная эмиссия (см. Фотоэффект внешний), вторичная электронная эмиссия, автоэлектронная эмиссия … Большой энциклопедический политехнический словарь

Книги

• Взрывная электронная эмиссия , Г. А. Месяц , … Категория: Электричество и магнетизм
• Вторичная электронная эмиссия , И. М. Бронштейн , Б. С. Фрайман , Книга посвящена одному из вопросов современной физической электроники - вторичной электронной эмиссии. Рассмотрены методы измерений: коэффициента вторичной эмиссии (ВЭ), неупругого и упругого… Категория: Физика твердого тела. Кристаллография Серия: Физико-математическая библиотека инженера Издатель:

Под вакуумом понимают газ или воздух, находящийся в состоянии найвысщего разрежения (давление порядка ). Вакуум является непроводящей средой, так как в нем содержится ничтожное количество электрически нейтральных частиц вещества.

Для получения в вакууме электрического тока необходим источник заряженных частиц - электронов, причем движение электронов в вакууме происходит практически без столкновений с частицами газа.

Источником электронов служит обычно металлйческий электрод - катод. При этом используется явление выхода электронов с поверхности катода в окружающую среду, называемое электронной эмиссией.

Свободные электроны в металле при отсутствии внешнего электрического поля беспорядочно перемещаются между ионами кристаллической решетки.

Рис. 13-6. Двойной электрический слой на поверхности металла.

При комнатной температуре выхода электронов из металла не наблюдается вследствие недостаточной величины их кинетической энергии. Часть электронов, обладающих наибольшей кинетической энергией, при своем движении выходит за поверхность металла, образуя электронный слой, который вместе с расположенным под ним в металле слоем положительных ионов кристаллической решетки образует двойной электрический слой (рис. 13-6). Электрическое поле этого двойного слоя противодействует электронам, стремящимся выйти из проводника, т. е. является для них тормозящим.

Для выхода электрона за пределы поверхности металла электрону необходимо, сообщить энергию, равную работе, которую он должен совершить по преодолению тормозящего действия поля двойного слоя. Эта работа называется работой выхода Отношение энергии выхода к заряду электрона называется потенциалом выхода, т. е. .

Работа (потенциал) выхода зависит от химической природы металла.

Значения потенциала выхода для некоторых металлов даны в табл. 13-1.

Таблица 13-1

В зависимости от того, каким способом сообщается электронам дополнительная энергия, необходимая для выхода из металла, различают виды эмиссии: термоэлектронную, электростатическую, фотоэлектронную, вторичную и под ударами тяжелых частиц.

Термоэлектронной эмиссией называется явление выхода электронов из катода, обусловленное исключительно нагревом катода. При нагревании металла скорости движения электронов и Их кинетическая энергия увеличиваются и число электронов, покидающих металл, возрастает. Все электроны, вылезающие из катода в единицу времени, если Они удаляются от катода внешним полем, образуют электрический ток эмиссии . При повышении температуры катода ток эмиссии растет сначала медленно, а затем все быстрее и быстрее. На рис. 13-7 даны кривые плотности тока эмиссии, т. е. тока эмиссии, отнесенного к единице поверхности катода, выраженной в А/см2, в зависимости от температуры Т для различных катодов.

Рис. 13-7. Кривые плотности тока эмиссии в зависимости от температуры для различных катодов: а - оксидный; б - вольфрамовый, покрытый торием; в - вольфрамовый без покрытия.

Зависимость плотности эмиссионного тока от температуры и работы выхода выражается уравнением Ричардсона-Дэшмана:

где А - постоянная эмиссии; для металлов она равна ; Т - абсолютная температура катода, К; - основание натуральных логарифмов; - работа выхода, эВ; - постоянная Больцмана.

Таким образом, плотность тока эмиссии увеличивается пропорционально и так что для получения большого тока эмиссии необходим катод из материала с малой работой выхода и высокой рабочей температурой.

Если электроны, вылетевшие из катода (эмиттированные электроны), не удаляются от него внешним ускоряющим полем, то они скапливаются вокруг катода, образуя объемный отрицательный заряд (электронное облако), который создает вблизи катода тормозящее электрическое поле, препятствующее дальнейшему вылету электронов из катода.

Электростатической электронной эмиссией называется явление выхода электронов из поверхности катода, обусловленное исключительно наличием у поверхности катода сильного электрического поля.

Сила, действующая на электрон, находящийся в электрическом поле, пропорциональна заряду электрона и напряженности поля F - её. При достаточно большой напряженности ускоряющего поля силы, действующие на электрон, находящиеся у поверхности катода, становятся достаточно большими для преодоления потенциального барьера и вырывания электронов из холодного катода.

Электростатическая эмиссия находит применение в ртутных вентилях и некоторых других приборах.

Фотоэлектронной эмиссией называется явление выхода электронов, обусловленное исключительно действием излучения, поглощаемого катодом, и не связанное с его нагреванием. При этом электроны катода получают дополнительную энергию от частиц света - фотонов.

Лучистая энергия испускается и поглощается определенными порциями - квантами. Если энергия кванта, определяемая произведением постоянной Планка частоты излучения v, т. е. , больше работы выхода для материала данного катода то электрон может покинуть катод., т. е. будет иметь место фотоэлектронная эмиссия.

Фотоэлектронная эмиссия применяется в фотоэлементах.

Вторичной электронной эмиссией называется явление выхода вторичных электронов, обусловленное исключительно ударами первичных электронов о поверхность тела (проводника, полупроводника). Летящие электроны, называемые первичными, встречая на пути проводник, ударяются о него, проникают в его поверхностный слой и отдают часть своей энергии электронам проводника. Если дополнительная энергия, получаемая электронами при ударе, будет больше работы выхода, то эти электроны могут выйти за пределы проводника.

Вторичная электронная эмиссия используется, например, в фотоэлектронных умножителях для усиления тока.

Вторичная эмиссия может наблюдаться в электронных лампах, в которых анод подвергается воздействию электронов, летящих от катода. В этом случае вторичные электроны могут создать поток, встречный «рабочему», ухудшающий работу лампы.

Электронной эмиссией под ударами тяжелых частиц называется явление выхода электронов, обусловленное исключительно ударами ионов или возбужденных атомов (молекул) о поверхность тела - электрода. Этот вид эмиссии аналогичен рассмотренной выше вторичной электронной эмиссии.

Ноттингема эффект –выделение теплоты на катоде при автоэлектронной эмиссии и поглощение теплоты при термоавтоэлектронной эмиссии, обусловленной разностью между средней энергией электронов, подходящих к поверхности катода и покидающих его. При низкой температуре (при автоэлектронной эмиссии) распределение электронов по энергиям практически не отличается от распределения Ферми при абсолютном нуле. Поэтому сквозь потенциальный барьер в вакуум уходят электроны, энергия которых несколько ниже уровня Ферми. При этом происходит нагревание эмиттера за счет энергии электронов, приходящих из электрической цепи на освобождающиеся уровни. В случае термоавтоэлектронной эмиссии (при высокой температуре) электроны уходят с уровней, лежащих выше уровня Ферми. Заполнение этих уровней электронами, приходящими из цепи, приводит к охлаждению эмиттера. Открыт У. Б. Ноттингемом в 1941 г. .

Эффект Малтера – эмиссия электронов в вакуум из тонкого диэлектрического слоя на проводящей подложке при наличии сильного электрического поля в слое. Открыт американским радиоинженером Л. Малтером в 1936 г. в слое А1 2 О 3 + Cs 2 O на А1. эмиссионный ток быстро растет с ростом анодного напряжения. Эффект Малтера обусловлен наличием сильного электрического поля в слое, что приводит к автоэлектронной эмиссии из подложки в слой .

При контакте тел с вакуумом или газами наблюдается электронная эмиссия – выпускание электронов телами под влиянием внешних воздействий: нагревания (теплоэлектронная эмиссия ) потока фотонов (фотоэмиссия ), потока электронов (вторичная эмиссия ), потока ионов, сильного электрического поля (автоэлектронная или холодная эмиссия ), механических или других "портящих структуру" воздействий (автоэлектронная эмиссия ).

Во всех видах эмиссий, кроме автоэлектронной, роль внешних воздействий сводится к увеличению энергии части электронов или отдельных электронов тела до значения, позволяющего им преодолеть потенциальный порог на границе тела с последующим выходом и вакуум или другую среду.

Эффект Малтера применяется:

Способ контроля глубины нарушенного поверхностного слоя полупроводниковых пластин, отличающихся тем, что с целью обеспечения возможности автоматизации и упрощения процесса контроля, пластину нагревают до температуры,соответствующей максимуму экзоэлектронной эмиссии , которую контролируют одним из известных способов, а по положению пика эмиссии определяют глубину нарушенного слоя;

Электронная турбина, содержащая помещенные в вакуумный баллон катод и анод и размещенный между ними ротор с лопастями, отличающийся тем, что с целью увеличения крутящегося момента на валу турбины ее ротор выполнен в виде набора соосных цилиндров с лопастями, между цилиндрами роторов установлены неподвижные направляющие лопатки имеют покрытие, обеспечивающее вторичную электронную эмиссию, например, сурьмяно-цезиевое. В случае автоэлектронной эмиссии внешнее электрическое поле превращают потенциальный порог на границе тела в барьер конечной ширины и уменьшает его высоту относительно высоты первоначального порога, вследствие чего становиться возможным квантовомеханическое тунелирование электронов сквозь барьер. При этом эмиссия происходит без затраты энергии электрическим полем;

Способ измерения объемной концентрации углеводородов в вакуумных системах путем термического разложения углеводородов на нагретом острийном автокатоде и регистрации времени накопления пиролетического углерода до одной из эталонных концентраций, отличающихся тем, что с целью повышения точности измерения время накопления углерода регистрируют по изменению значения автоэлектронного тока. Наличие на поверхности металла тонких диэлектрических пленок в сильных полях не мешает походу электронов через потенциальный барьер. Это явление называется эффектом Молтера ;

Электронно-лучевая запоминающая трубка с экранными сетками, отличающаяся тем, что с целью хранения записи неограниченно долгое время одна из экранных сеток, служащая потенциалоносителем, изготовлена из металлов, излучающих вторично-электронную эмиссию, покрытых пленкой диаэлектрика и обладающих эффектом.

Туннелирование электронов по потенциальным барьерам широко используется в специальных полупроводниковых приборах – туннельных диодах . На высоту туннельного барьера можно влиять не только электрическим полем, но и другими воздействиями.

Так же это используется в устройстве позволяющем обнаруживать магнитные домены с внутренним диаметром не более 1 мк, основано на определении изменения уровня Ферми исследуемого электрода по изменению высоты туннельного барьера и по его воздействию на величину сопротивления, туннельного перехода. Устройство применимо в магнитных долговременных и оперативных запоминающих устройствах.

А так же в устройстве для измерения контактного давления ленты на магнитную головку, содержащее упругие элементы и датчики, отличающиеся тем, что с целью осуществления одновременно интегрального и дискретного измерения указанного давления, устройство измерения выполнено в виде полуцилиндра, состоящего из упругих элементов, образующих на корпусе магнитной головки, при этом другой край полуцилиндра выполнен свободным, а под каждой полосой гребенки установлен датчик, например, с туннельным эффектом.

Туннельный эффект – преодоление микрочастицей потенциального барьера в случае, когда ее полная энергия меньше высоты барьера. Вероятность прохождения сквозь барьер – главных фактор, определяющий физические характеристики туннельного эффекта. Эта вероятность тем больше, чем меньше масса частицы, чем уже потенциальный барьер и чем меньше энергии недостает частице, чтобы достичь высоты барьера. В случае одномерного потенциального барьера характеристикой служит коэффициент прозрачности барьера, равный отношению потока прошедших сквозь него частиц к подающему на барьер потоку. Аналог туннельного эффекта в волновой оптике: проникновение световой волны внутрь отражающего покрытия в условиях, когда с точки зрения геометрической оптики происходит полное внутреннее отражение .

Применение: в радиоэлементах, основанных на туннельном эффекте – туннельных диодах.

Термоэлектронная Эммисия – испускание электронов нагретыми телами в вакууме или других средах. Выйти из тела могут только те электроны, энергия которые больше энергии, покоящегося электрона вне тела. Число таких электронов при Т-300 К очень мало и экспоненциально возрастает с температурой. Поэтому ток термоэлектронной эмиссии заметен только для нагретых тел. При отсутствии "отсасывающего" электрического поля вылетевшие электроны образуют вблизи поверхности эмиттера отрицательный пространственный заряд, ограничивающий ток термоэлектронной эмиссии.

Термоэлектронная эмиссия лежит в основе работы термоэлектрических катодов, применяющихся во многих электровакуумных и газоразрядных приборах.

Термоэлектронный преобразователь энергии – устройство преобразования тепловой энергии в электрическую на основе вышеописанного явления. Его действие основано на следующем процессе: с катода (поверхность горячего металла с большой работай выхода) "испаряются" электроны, которые пролетев межэлектродный промежуток, "конденсируются" на аноде (холодный метал); во внешней цепи течет ток КПД его превышает 20 % .

Ионно-электронная эмиссия – испускание электронов поверхностью твердого тела в вакуум при бомбардировке поверхности ионами; Коэффициент ионно-электронной эмиссии у равен отношению числа эмитированных электронов n i к числу падающих на поверхность ионов n j . Для медленных ионов у практически не зависит от энергии и массы mj, но зависит от их заряда (для однозарядных ионов у ≈ 0,2, для многозарядных у может превышать единицу).

Ионно-электронная эмиссия зависит также от энергии ионизации и возбуждения ионов от работы выхода вещества мишени. Когда скорость ионов достигает 6-7-10 6 см/с, характер ее резко изменяется.

Вначале у растет пропорционально ej, затем как (si)" 2 , при Vj = 10 8 - 10 9 см/с достигается максимум, затем идет спад.

Если к поверхности твердого тела подходит медленный ион, то электрон твердого тела может перейти к иону и нейтрализовать его. Такой переход сопровождается выделением энергии и часть электронов, получивших ее, может покинуть тело. При бомбардировке быстрыми ионами происходит интенсивный электрообмен, при котором электрон вылетает в вакуум .

Электроны проводника свободно перемещаются в пределах его границ, а при поглощении достаточной энергии могут и выходить наружу, преодолев стенку потенциальной ямы у поверхности тела (рис. 10.6). Это явление называется эмиссией электронов (в отдельном атоме аналогичное явление называется ионизацией).

При Т = 0 энергия, необходимая для эмиссии, определяется разностью между уровнями W = 0 и уровнем Ферми Е Р (рис. 10.6) и называется работой выхода. Источником энергии могут быть фотоны (см. параграф 9.3), вызывающие фотоэмиссию (фотоэффект).

Рис. 10.6

Причиной термоэлектронной эмиссии является нагревание металла. При искажении функции распределения электронов (см. рис. 10.5, б) се «хвост» может выйти за пределы среза потенциальной ямы, т.с. у некоторых электронов хватает энергии, чтобы покинуть металл. Обычно этим пользуются для поставки электронов в вакуум.

Простейший прибор, использующий термоэмиссию, - электровакуумный диод (рис. 10.7, а). Его катод К накаляется от источника ЭДС ? и и испускает электроны, которые создают ток иод действием электрического ноля между анодом и катодом. Электровакуумный диод отличается от фотодиода в основном источником энергии, вызвавшей эмиссию электронов, поэтому их вольтамперные характеристики похожи. Чем больше напряжение U a между анодом и катодом, тем большую часть электронов из их облака у катода вытягивает электрическое поле в единицу времени. Поэтому с ростом напряжения U a ток I растет. При некоторых напряжениях ноле вытягивает уже все электроны, покидающие катод, и дальнейший рост напряжения к росту тока нс приводит - происходит насыщение.

Рис. 10.7

ВОПРОС. Почему ток насыщения при Т, больше, чем при Г, (рис. 10.7, б)? ОТВЕТ. При Т 2 > Г, больше электронов покидает катод в единицу времени.

При обратной полярности приложенного напряжения («минус» подключен к аноду, а «плюс» - к катоду) электроны не ускоряются, а тормозятся, поэтому электровакуумный диод способен пропускать ток только в одну сторону, т.е. он обладает односторонней проводимостью. Это позволяет применять его для выпрямления тока (рис. 10.7, в): во время действия положительной полуволны напряжения диод пропускает ток, а во время отрицательной - нет.

В 1907 г. американец Ли де Форест дополнил диод третьим электродом- сеткой, который позволил усиливать электрические сигналы. Такой триод стали затем дополнять и другими электродами, что позволило создавать разного рода усилители, генераторы и преобразователи. Это обусловило бурное развитие электротехники, радиотехники и электроники. Далее эстафету подхватили полупроводниковые приборы, вытеснившие электровакуумные лампы, но в ЭЛТ, рентгеновских трубках, электронных микроскопах и некоторых вакуумных лампах термоэмиссия ио-нрежнему актуальна.

Еще одним источником эмиссии электронов может быть бомбардировка поверхности материала различными частицами. Вторичная электрон-эле- ктронная эмиссия возникает в результате ударов внешних электронов, передающих часть своей энергии электронам вещества. Такую эмиссию используют, например, в фотоэлектронном умножителе (ФЭУ) (рис. 10.8, а). Его фотокатод 1 испускает электроны под действием света. Их ускоряют в направлении электрода (динода) 2, из которого они выбивают вторичные электроны, те ускоряются к диноду 3 и т.д. В результате первичный фототок умножается до такой степени, что ФЭУ способен регистрировать даже отдельные фотоны.

Рис. 10.8

Тот же принцип применили и в ЭОП (см. параграф 9.3) нового поколения. Он содержит сотни тысяч ФЭУ (по числу пикселей, формирующих изображения объектов), каждый из которых представляет собой металлизированный микроканал шириной ~ 10 мкм. По этому каналу так же зигзагообразно, как свет в оптоволокне и как электроны в ФЭУ, движутся электроны, размножаясь при каждом соударении со стенками канала вследствие вторичной эмиссии. Поскольку траектория электронов пренебрежимо мало отличается от прямолинейной (лишь в пределах ширины канала), то пакет таких каналов, расположенный между фотокатодом и экраном (рис. 10.8, б), избавляет от необходимости фокусировки фотоэлектронов (сравните с рис. 9.4). Каждый канал осуществляет не только размножение электронов, но и перенос их в требуемую точку, что обеспечивает четкость изображения.

При вторичной ионно-электронной эмиссии первичными частицами - носителями энергии являются ионы. В газоразрядных приборах они обеспечивают воспроизводство электронов из катода, которые затем размножаются путем ионизации молекул газа (см. параграф 5.9).

Существует и весьма экзотичный вид эмиссии, происхождение которого объясняется принципом неопределенности Гейзенберга. Если у поверхности металла есть электрическое поле, ускоряющее электроны, то на потенциальный уступ 1 накладывается прямая еЕх (2 на рис. 10.6), и уступ превращается в барьер 3. Если полная энергия электрона равна W, т.е. на АW меньше высоты барьера, то по классическим представлениям «взять» его, т.е. выйти наружу, он не может. Однако по квантовым представлениям электрон - это еще и волна, которая не только отражается от оптически более плотной среды, но и преломляется. При этом наличие функции у внутри барьера означает конечную вероятность обнаружить там электрон. На «классический» взгляд, это невозможно, так как полная энергия электрона W, а ее составляющая - потенциальная энергия - равна в этой области W + AVK, т.е. часть оказывается больше целого! В то же время существует некоторая неопределенность AVK энергии, которая зависит от времени At пребывания электрона внутри барьера: AWAt >h. С уменьшением At: неопределенность AW может достичь требуемой величины, и решение уравнения Шредингера дает конечные значения | р | 2 с внешней стороны барьера, т.е. существует вероятность того, что электрон выйдет наружу, не перепрыгивая через барьер! Она тем выше, чем меньше AW п At.

Эти выводы подтверждаются па практике наличием туннельного, или подбарьерного, эффекта. Он даже находит применение, обеспечивая эмиссию электронов из металла в полях напряженностью ~10 6 -10 7 В/см. Поскольку такая эмиссия происходит без нагревания, облучения или бомбардировки частицами, ее называют автоэлектронной. Обычно она происходит со всевозможных остриев, выступов и т.и., где напряженность ноля резко возрастает. Она может привести и к электрическому пробою вакуумного промежутка.

В 1986 г. Нобелевской премией по физике отмечено основанное на туннельном эффекте изобретение сканирующего электронного микроскопа. Ее лауреаты - немецкие физики Э. Руска и Г. Бинниг и швейцарский физик Г. Рорер. В этом приборе тонкая игла сканирует вдоль поверхности на малом от нее расстоянии. Возникающий при этом туннельный ток несет информацию об энергетических состояниях электронов. Таким образом удается получить изображение поверхности с атомной точностью, что особенно важно в микроэлектронике.

Туннельный эффект ответствен за рекомбинацию при ионно-электронной эмиссии (см. выше), за электризацию трением, при которой электроны из атомов одного материала туннелируют к атомам другого. Он определяет и обобществление электронов при ковалентной связи, ведущей к расщеплению энергетических уровней (см. рис. 10.5, а).

Лекция 2

Образование отрицательных ионов

Установлено, что галогены при ионизации способны присоединять электроны с образованием отрицательных ионов (галогены: F, Cl, Br, J). Наибольшее сродство к электрону имеет F, который часто вводится в дугу в виде солей (CaF2) с целью подавления пористости в металле шва. Присоединение атомами F отрицательных ионов приводит к тому, что в дуговой плазме уменьшается концентрация свободных электронов, хотя общее количество заряженных частиц остаётся постоянным. Электроны переносят основную часть тока. Отрицательные ионы F – тяжёлые малоподвижные частицы, которые осуществляют перенос тока значительно хуже. Поэтому при введении в зону сварки веществ, содержащих F, стабильность горения дуги резко ухудшается, особенно при сварке на переменном токе. Поэтому электроды типа УОНИ 13/45, содержащие в своём составе значительное количество CaF2, применяются на постоянном токе. Если сварку необходимо производить на переменном токе, тогда в состав подобных покрытий вводятся ионизирующие вещества, или применяется стабилизация дуги с помощью осцилляторов или генераторов импульсов.

Эмиссия электронов из поверхности катода

Для вырывания электрона из катода необходимо преодолеть силы притяжения электрона положительными зарядами катода. Для этого необходимо затратить определённое количество работы, которое называется работой выхода. Величина работы выхода зависит от материала катода и состояния его поверхности (наличие окисных и других плёнок). Для процесса в сварочной дуге основное значение имеют два вида эмиссии электронов: термоэлектронная и автоэлектронная.

Термоэлектронная эмиссия возникает при нагреве поверхности катода. При этом отдельные электроны могут получить энергию достаточную для выполнения работы выхода и покинуть поверхность катода. При отсутствии электрического поля над поверхностью катода образуется электронное облако, и дальнейший процесс эмиссии электронов прекращается.

С течением времени отдельные электроны из пространственного заряда возвращаются к телу заряда и втягиваются в металл. Происходит одновременно эмиссия электронов и втягивание их обратно в металл. При длительном нагреве металла с постоянной температурой устанавливается равновесная плотность эмиссии (количество эмитированных электронов равно количеству втянутых).

Плотность электронного тока может быть подсчитана по формуле:

j = AT 2 exp(-j/kt)

где j - работа выхода.

С увеличением температуры плотность тока термоэлектронной эмиссии возрастает. При температуре сварочной дуги устанавливается такая плотность термоэлектронной эмиссии, которая достаточна для поддержания устойчивого дугового разряда.

Автоэлектронная эмиссия . С целью облегчения эмиссии электронов из металла, разогретый металл – катод помещают в электрическое переменное поле. Полюса поля располагают следующим образом: ²-² на металле, ²+² на противоположном электроде – аноде.

Электрическое поле полностью или частично разрушает пространственный электрический заряд. Это облегчает эмиссию электронов из катода и увеличивает равновесную плотность эмиссии, которая рассчитывается по такой же зависимости.

Уравнение для тока термо- и автоэлектронной эмиссии приобретает вид:

В электрическом поле уменьшается работа выхода электрона на величину

Δj= 0 3/2 Е 1/2,

где Е – напряжённость поля.

Эмиссия под воздействием электрического поля называется автоэлектронной. Для сварки свойственны оба вида эмиссии.

Уменьшение работы выхода с поверхности электрода может служить одним из способов стабилизации дугового разряда.

Таблица - Работа выхода с поверхности катода для различных материалов

При наличии на поверхности электрода окисных плёнок работа выхода значительно уменьшается, особенно сильно снижают j плёнки окислов щелочных и щелочноземельных металлов. С целью улучшения стабильности горения дуги при сварке W электродами в состав электродов вводятся окислы La , такие электроды называются лантанированными. Ранее применяемые электроды содержали 1,5-2,5% двуокиси тория. ВТ-15 и ВТ-25 (1,5-2,5% двуокиси тория). Дуга при этом не блуждает по поверхности металла.

За рубежом и в нашей стране предпринимались попытки повышения стабильности путём снижения j электрона с поверхности плавящегося электрода. Для этого применяли активированную проволоку, т.е. покрытую тонким слоем солей. Наилучший эффект дают соли цезия (обеспечивает низкий потенциал ионизации). При этом измельчаются капли расплавленного металла.